40N120 TGAN40N120FDR IGBT TO-3P

107.85 грн

97.07 грн
103.54 грн
107.85 грн

В наличии

Купить в один клик

Описание

40N120 TGAN40N120FDR IGBT корпус TO-3P
IGBT транзистор
Vces = 1200 В;
Vges = ± 20 В;
Ic 25°C = 80 А;
Ic 100°C = 40 А;
Pd = 500 Вт
R°C/W = 0.25 °C/Вт;

Обратный звонок


×