AP4511GH характеристика:
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярність: NPN
- Максимальна потужність, що розсіюється (Pd): 10,4 Вт
- Гранично допустима напруга стік-витік (Uds): 35 В
- Гранично допустима напруга затвор-витік (Ugs): 20 В
- Максимально допустимий постійний струм стоку (Id): 15 (12) А
- Максимальная температура канала (Tj): 150 град
- Час наростання (tr): 7 (6) з
- Вихідна ємність (Cd): 150 (165) пФ
- Опір стік-витік відкритого транзистора (Rds): 0.03 (0.048) Ом
- Тип корпусу: TO252-4L
