Транзисторы 2SD880 кремниевой структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Характеристики транзистора 2SD880:
- Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами
- Масса транзистора: не более 0,7 г
- Диапазон рабочих температур: от -55 до 150 °C.
- Структура: n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 7 В
- Ток коллектора, не более: 3 А
- Макcимальный ток базы, не более: 0,5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 300
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
- Корпус: TO-220
