40N120 TGAN40N120FDR IGB характеристики:
- Корпус TO-3P
- IGBT транзистор
- Vces = 1200 В
- Vges = ± 20 В
- Ic 25°C = 80 А
- Ic 100°C = 40 А
- Pd = 500 Вт
- R°C/W = 0.25 °C/Вт
40N120 TGAN40N120FDR IGBT TO-3P – Транзистор
Нет в наличии
145.18 ₴
130.67 ₴
139.38 ₴
145.18 ₴
Доставка:
- Новая почта / курьер НП
- Укрпочта
- Самовывоз (г. Ивано-Франковск)
Нет в наличии
3
Человека сейчас смотрит этот товар!
