B649 характеристики:
- Структура: p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -180 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 В
- Ток коллектора, не более: -1.5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 320
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
- Корпус: TO-126
