FDS8958B (SOP-8) – Микросхема двойной N-ch и P-ch MOSFET

FDS8958B SOP8 — двухканальныЙ транзистор с эффектом силового поля с улучшенным режимом N- и P-канала производятся с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench® от Fairchild Semiconductor, который был специально разработан для минимизации сопротивления на уровне штатов и, тем не менее, обеспечивает превосходные характеристики переключения. Он хорошо подходит для приложений с низким напряжением и с батарейным питанием, где требуются низкие потери мощности в сети и быстрое переключение.

Особенности FDS8958B:

• Q1: N-канал
  • Максимум. R DS ( вкл. ) = 26 мОм V GS = 10 В, I D = 6,4 А
  • Максимум. R DS ( вкл. ) = 39 мОм при V GS = 4,5 В, I D = 5,2 А
• Q2: P-канал
  • Максимум. R DS ( вкл. ) = 51 мОм при V GS = -10 В, I D = -4,5 А
  • Максимум. R DS ( вкл. ) = 80 мОм V GS = -4,5 В, I D = -3,3 А
• Уровень защиты от статического электричества HBM > 3,5 кВ
• Соответствует RoHS