AP4511GH характеристика:
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: NP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 10.4 Вт
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 35 В
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 В
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15(12) А
- Максимальная температура канала (Tj): 150 град
- Время нарастания (tr): 7(6) с
- Выходная емкость (Cd): 150(165) пФ
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03(0.048) Ом
- Тип корпуса: TO252-4L
