G80N60 (G80N60UFD) характеристики:
- Корпус TO-3P
- Ультрабыстрый IGBT транзистор
- Vces = 600 В
- Vges = ± 20 В
- Ic 25°C = 80 А
- Ic 100°C = 40 А
- Pd = 195 Вт
- R°C/W = 0,64 °C/Вт
G80N60 (G80N60UFD, TO-3P) – IGBT транзистор
Нет в наличии
104.17 ₴
98.36 ₴
102.72 ₴
104.17 ₴
Доставка:
- Новая почта / курьер НП
- Укрпочта
- Самовывоз (г. Ивано-Франковск)
Нет в наличии
2
Человека сейчас смотрит этот товар!
