Товары / Полупроводниковые приборы / Транзисторы и другие активные компоненты / Силовые транзисторы (Биполярные) / FGA25N120ANTD FGA25N120 25N120 — IGBT транзистор
FGA25N120ANTD FGA25N120 25N120 — IGBT транзистор
Артикул: 300000355.17 грн.
52.27 грн
54.01 грн
55.17 грн.
Нет в наличии
FGA25N120ANTD FGA25N120 25N120 характеристики:
- Маркировка: FGA25N120
- Производитель: Fairchild
- Корпус: TO-3P
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер: 50 А
- Напряжение насыщения: 2 В
- Управляющее напряжение: 5,5 В
- Максимальная рассеиваемая мощность: 312 Вт
- Прямой ток диода: 25 А
- Диапазон рабочих температур: -55 – +150°C
FGA25N120 (25N120) представляет собой n-канальный биполярный транзистор c изолированным затвором (IGBT) и встроенным защитным диодом. Основное место использование данного транзистора — индукционные печи.