IGBT транзистор FGA25N120ANTD FGA25N120 25N120

44.14 грн

41.81 грн
43.20 грн
44.14 грн

Нет в наличии

Описание

• Маркировка: FGA25N120;
• Производитель: Fairchild;
• Корпус: TO-3P;
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 1200 В;
• Максимальный ток коллектор-эмиттер: 50 А;
• Напряжение насыщения: 2 В;
• Управляющее напряжение: 5,5 В;
• Максимальная рассеиваемая мощность: 312 Вт;
• Прямой ток диода: 25 А;
• Диапазон рабочих температур: -55 – +150°C.
FGA25N120 (25N120) представляет собой n-канальный биполярный транзистор c изолированным затвором (IGBT) и встроенным защитным диодом. Основное место использование данного транзистора – индукционные печи.

Обратный звонок


×