40N120 TGAN40N120FDR IGBT TO-3P

116.15 грн

104.53 грн
111.50 грн
116.15 грн

В наличии

Купить в один клик

Описание

40N120 TGAN40N120FDR IGB:

• Корпус TO-3P
• IGBT транзистор
• Vces = 1200 В;
• Vges = ± 20 В;
• Ic 25°C = 80 А;
• Ic 100°C = 40 А;
• Pd = 500 Вт
• R°C/W = 0.25 °C/Вт;

Обратный звонок


×