Товари / Напівпровідникові прилади / Транзистори та інші активні компоненти / IGBT транзистори / 40N120 TGAN40N120FDR IGBT TO-3P — Транзистор
40N120 TGAN40N120FDR IGBT TO-3P — Транзистор
Артикул: 155001145.18 грн.
130.67 грн
139.38 грн
145.18 грн.
Немає в наявності
40N120 TGAN40N120FDR IGB характеристики:
- Корпус TO-3P
- IGBT транзистор
- Vces = 1200 В
- Vges = ± 20 В
- Ic 25°C = 80 А
- Ic 100°C = 40 А
- Pd = 500 Вт
- R°C/W = 0.25 °C/Вт