40N120 TGAN40N120FDR IGBT TO-3P
116.15 грн
104.53 грн
111.50 грн
116.15 грн
Є в наявності
Опис
40N120 TGAN40N120FDR IGB:
• Корпус TO–3P;
• IGBT транзистор;
• Vces = 1200 В;
• Vges = ± 20 В;
• Ic 25°C = 80 А;
• Ic 100°C = 40 А;
• Pd = 500 Вт;
• R°C/W = 0.25 °C/Вт.