Транзистор B649

18.58 грн

13.94 грн
16.26 грн
18.58 грн

В наличии

Купить в один клик

Описание

• Структура – p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -180 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 В
• Ток коллектора, не более: -1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
• Корпус: TO-126

Обратный звонок


×